MOSFET リレーは、高感度と絶縁耐力を実現します。

オムロンエレクトロニックコンポーネンツヨーロッパは、MOSFET リレーの G3VM シリーズラインアップをさらに拡張し、感度と絶縁耐力の向上を実現しました。新しい G3VM-61VY4 は、60 V SOP4 リレーを 3750 Vrms の絶縁耐力で連続負荷電流を 0.7 A まで拡張します。一方、350 V G3VM-35VY1 は、I/O 間の 3750 Vrms 絶縁耐力で連続負荷電流を 110 mA まで増加します。最新のオムロンリレーは、高さ 2.10 mm、幅 3.7 mm、長さ 7.0 mm の SOP4 特殊フォーマットに準拠しています。これらは、既存の SOP4 リレーに使用されているものと同じ取り付けパッドの設置面積を共有します。 G3VM-61VY4 および G3VM-351VY1 リレーは現在、テーピングタイプごとに 500 個、スティックごとに 125 個からの少量の最小注文数量を柔軟に提供できるようになっています。新しいモデルの高い絶縁耐力は、入力と出力間の高い絶縁を必要とするあらゆるアプリケーションをサポートします。高感度の G3VM-61VY4 および G3VM-351VY1 は、セキュリティシステムのセンサー信号の転送や制御ユニットからの出力信号の切り替えなどのセンサーアプリケーションに特に適しています。

MOSFET リレーは、負荷スイッチング電流のフォトカプラおよび MOSFET チップとして使用されるフォトダイオードドームアレイ (PDA) を備えた入力 LED を使用して、光半導体技術で業界をリードします。 MOSFETリレーはメンテナンスフリーに加え、高速動作、小型化を実現しており、メカニカルリレーからの置き換えも可能です。

両方の新しいモデルは、スイッチオン時の消費電力をさらに低減し、動作中の入力電流を 3 分の 1 に削減します。 MOSFET リレーは、同等の機械デバイスに比べて機器の小型化と高密度化に貢献します。リードリレーに比べて入力側の消費電力が極めて低く、機器の省エネ化に貢献します。